A Caracterização de Semicondutores Wide Bandgap (WBG) na fase de pesquisa exige instrumentação de precisão extrema para extrair parâmetros fundamentais de materiais como GaN e SiC. O desafio técnico reside na medição de correntes de fuga na ordem de picoampères sob tensões que podem atingir 3kV, além da necessidade de caracterização Capacitância-Tensão (C-V) precisa para entender a física do dispositivo. Para pesquisadores, é vital medir parâmetros como a tensão de limiar e o breakdown sem danificar o protótipo. Dica técnica: Utilizando os sistemas da Keithley, você integra múltiplos canais de fonte e medição (SMU) que permitem testes de estresse e caracterização paramétrica completa em um único setup. Isso garante a repetibilidade dos dados e a precisão necessária para validar a superioridade térmica e de eficiência dos novos semicondutores de potência.
A seguir, apresentamos os equipamentos-chave para esta área de pesquisa, descrevendo o desafio de medição específico que cada um deles resolve.
